Nhiễu xạ chùm điện tử hội tụ Nhiễu xạ điện tử

Phương pháp nhiễu xạ chùm điện tử hội tụ và phổ CBED của mẫu đơn tinh thể Si

Nhiễu xạ chùm điện tử hội tụ (Convergent beam electron diffraction - CBED) là phương pháp nhiễu xạ điện tử bằng cách hội tụ một chùm điện tử hẹp chiếu qua mẫu cần phân tích, lần đầu tiên được thực hiện bởi Kossel và Mollenstedt vào năm 1939.

Với phương pháp này, chùm điện tử được hội tụ thành một điểm rất hẹp và có thể phân tích một diện tích rất nhỏ có thể tới cỡ vài chục angstrom, hoặc vài angstrom. Vì các chùm tia được hội tụ nên sẽ có nhiều chùm tia tán xạ theo các phương khác nhau. Phương pháp CBED rất mạnh cho việc phân tích tính đối xứng tinh thể, định hướng tinh thể của chất rắn, xác định nhóm không gian, thành phần pha, và độ dày mẫu... Đồng thời CBED cũng rất mạnh cho việc phân tích tính hoàn hảo của tinh thể. Tuy nhiên, CBED khó thực hiện hơn nhiều so với SAED. Phương pháp CBED thường chỉ có trong các kính hiển vi điện tử truyền qua quét (Scanning TEM - STEM), tức là dùng chùm điện tử hội tụ (hẹp) chiếu xuyên và quét qua mẫu.